電子在電場的作用下加速飛向基片的（de）過（guò）程中（zhōng）與氬原子發生（shēng）碰撞,電離出（chū）大（dà）量的氬離子和電子,電子飛向基片.氬離子（zǐ）在（zài）電（diàn）場的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶（bǎ）材原子,呈中性的靶原子（或（huò）分子）沉積在基片上成膜.二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在*近靶麵的等離子體區域內,該區域內等離子體密度很（hěn）高,二次電子（zǐ）在磁場的作用下（xià）圍繞靶麵作圓周運動,該電子（zǐ）的運（yùn）動路徑很長,在運動過程中不斷（duàn）的與氬原子發生碰撞電（diàn）離出大量的氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞後電子（zǐ）的能（néng）量逐漸降低,擺脫（tuō）磁力（lì）線的束縛,遠離靶材,最終沉積在（zài）基片（piàn）上.

        磁控濺射就是以磁場束縛（fù）和延長（zhǎng）電子的（de）運動路徑（jìng）,改變電子的運動方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不（bú）僅僅是基片,真空室內（nèi）壁及靶源陽極也是電子歸宿（xiǔ）.但一般基片與真空室及陽極（jí）在同一電勢.磁（cí）場與電場的交互（hù）作用（E X B shift）使單個（gè）電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在（zài）靶麵圓周運動.至於靶（bǎ）麵圓周（zhōu）型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形（xíng）狀.磁力線分布方向不同會對成膜有很（hěn）大關係.

       在E X B shift機理下工作（zuò）的不光磁控（kòng）濺射,多弧鍍靶源,離子（zǐ）源,等離（lí）子（zǐ）源等都在次原理下工作.所不同的（de）是電場方向,電壓電流大小（xiǎo）而已.