直流磁控濺射： 直流（liú）磁控濺射是在直流二級濺射的基礎（chǔ）上（shàng），在靶材後（hòu）麵（miàn）安防磁（cí）鋼（gāng）。可以用來濺射沉積導電膜，而且（qiě）沉積速度（dù）快；

但靶材若為絕緣體的話，將會迅速造成靶材表麵電荷（hé）積累，從而導致濺射無法進（jìn）行。所以對於純金屬靶材的濺射，均（jun1）采用直流（liú）磁控濺射（shè），如（rú）濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射（shè）， 常用來進行反應濺射，如金（jīn）屬氧化物、碳化物等，將少許反應性氣（qì）體N2,O2,C2H2等同惰性氣（qì）體Ar2一起輸入到真空腔中，使反（fǎn）應氣體與靶材原（yuán）子一起於基材上沉積（jī）。

對於一（yī）些不易找到的塊材料製成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後（hòu），薄膜成分易偏離原靶材（cái）成（chéng）分，也可通過反應沉積來獲得改善。